Технология высоковольтных платформ на 800 В быстро набирает популярность, а устройства на основе карбида кремния становятся ключом к повышению производительности транспортных средств на новых источниках энергии.

Технология высоковольтных платформ на 800 В быстро набирает популярность, и устройства на основе карбида кремния становятся ключевым фактором повышения производительности транспортных средств на новых источниках энергии.
По мере того, как мировая индустрия электромобилей движется к повышению эффективности и внедрению интеллектуальных технологий, высоковольтная платформа на 800 В становится новым отраслевым стандартом. В качестве ключевого компонента этой технологической революции силовые устройства на основе карбида кремния (SiC), благодаря своей устойчивости к высоким частотам, высоким напряжениям и высоким температурам, становятся важным фактором увеличения запаса хода электромобилей и сокращения времени зарядки. Компания Xi'an Wanpu Import and Export Trading Co., Ltd. идет в ногу с этой технологической тенденцией и, интегрируя ресурсы цепочки поставок, предоставляет глобальным клиентам высокопроизводительные модули SiC и сопутствующие решения, помогая индустрии электромобилей совершить скачок в развитии.
[Платформа 800 В обладает значительными преимуществами, устройства на основе SiC решают основные проблемы]
Традиционные платформы с напряжением 400 В ограничены толщиной кабеля, весом и проблемами теплоотвода, что делает их неспособными удовлетворить потребительский спрос на быструю зарядку и увеличенный запас хода. Высоковольтная платформа 800 В позволяет увеличить мощность зарядки до более чем 350 кВт, увеличивая запас хода на 200 километров при пятиминутной зарядке, а также снижая потери энергии при передаче примерно на 50%. В этой системе решающую роль играют устройства на основе карбида кремния (SiC). Их частота переключения может достигать пятикратного значения по сравнению с кремниевыми IGBT-транзисторами, а их термостойкость превышает 200 °C. Это повышает эффективность системы электропривода до более чем 97%, увеличивая запас хода автомобиля на 5–10%.
Однако исторически высокая стоимость устройств на основе карбида кремния (SiC) препятствовала их широкому распространению. К 2024 году цена на производимые внутри страны 6-дюймовые подложки из SiC снизилась более чем на 40% по сравнению с предыдущим годом, а цены на модули от крупных международных производителей упали до менее чем 2000 юаней. Отечественные производители даже представили решения по цене менее 1500 юаней. Эта тенденция к снижению стоимости соответствует спросу на платформу 800 В. По прогнозам, мировой рынок устройств на основе SiC превысит 40 миллиардов юаней в 2028 году, при этом на электромобили будет приходиться более 70% этой доли рынка.
[Разнообразные технические решения и гибридные технологии становятся инструментом снижения затрат]
Для достижения баланса между производительностью и стоимостью отрасль исследовала множество инновационных подходов. В августе 2025 года компании Xpeng Motors и Xinlian Integrated Circuit совместно объявили о массовом выпуске. продуктВ Китае был разработан первый гибридный продукт на основе карбида кремния (Hybrid-SiC). Благодаря умелому сочетанию кремниевых IGBT-транзисторов и SiC MOSFET-транзисторов, это решение сохраняет более 80% преимуществ SiC в производительности, при этом его стоимость не превышает стоимость традиционных решений в 1,5 раза.¹⁰ Это решение уже используется такими производителями оригинального оборудования, как Geely, BYD и Changan, и ожидается, что к 2026 году доля гибридного SiC в системах электропривода достигнет 25%.⁵
Между тем, в системе Lantu Auto "Lanhai Intelligent Hybrid Technology" используется полнодиапазонная архитектура на основе карбида кремния с напряжением 800 В в сочетании с 5C-сверхвысоким коэффициентом теплопередачи.Зарядное устройство для батареи, что позволяет зарядить аккумулятор на 20–80% всего за 12 минут, обеспечивая запас хода на чисто электрическом режиме CLTC более 410 километров. 7 Его аккумуляторный блок прошел экстремальные испытания, такие как прокол иглой и падение с высоты 5 метров, демонстрируя надежность систем на основе SiC в критически важных с точки зрения безопасности сценариях. 6
[Китайская цепочка поставок укрепляется, Ваньпу способствует глобальному промышленному сотрудничеству]
Зрелость отечественной цепочки производства SiC-микросхем дает мощный импульс внедрению технологий. Компания Xinlian Integrated Circuit построила первую в Китае производственную линию по выпуску 8-дюймовых SiC MOSFET-транзисторов, ключевые характеристики которых сопоставимы с международными эталонами. Компания Times Electric поставит первую партию автомобильных SiC-модулей в первой половине 2025 года,打破 монополию таких международных гигантов, как Infineon и STMicroelectronics. Местные компании дополнительно снижают затраты более чем на 20% за счет вертикальной интеграции — от выращивания подложек и эпитаксиальной обработки до упаковки модулей.
Компания Xi'an Wanpu Import and Export Trading Co., Ltd. активно участвует в этой волне перемен. Опираясь на многолетний опыт в управлении цепочками поставок, она установила стратегические партнерства с ведущими отечественными производителями SiC-модулей, предоставляя комплексные услуги по закупкам для зарубежных клиентов. SiC-модули компании охватывают основные области применения, такие как инверторы для главных приводов, бортовые зарядные устройства (OBC) и DC-DC преобразователи. Все они сертифицированы по стандарту AEC-Q101 для автомобильной промышленности и поддерживают широкий диапазон рабочих температур от -40°C до 175°C. Wanpu также предлагает индивидуальные решения по охлаждению и поддержку в проектировании схем управления в соответствии с потребностями клиентов, помогая OEM-производителям сократить циклы НИОКР.
[Перспективы на будущее: Сотрудничество в экосистеме SiC вступает в новый этап]
Благодаря повышению выхода годных изделий на 8-дюймовых подложках и внедрению новых процессов упаковки, ожидается, что к 2027 году стоимость устройств на основе SiC сравняется со стоимостью изделий на основе кремния.⁸ В течение следующих трех лет технология SiC будет глубоко интегрирована с интеллектуальными системами управления автомобилем. Например, эффективные системы управления питанием на основе SiC могут обеспечить более стабильное распределение энергии для лидаров и высокопроизводительных вычислительных чипов. Технология V2G (автомобиль-сеть) использует возможности двунаправленного преобразования SiC для обеспечения интеллектуального взаимодействия между электромобилями и электросетью.⁷
Компания Xi'an Wanpu Import & Export Trading Co., Ltd. продолжит уделять основное внимание технологическим инновациям, планируя запустить в четвертом квартале 2025 года модули SiC третьего поколения, поддерживающие напряжение 1200 В/800 А. Одновременно мы будем расширять сферу применения в таких перспективных областях, как фотовольтаика и системы хранения энергии. Мы искренне приглашаем глобальных партнеров изучить технологические преимущества эры 800 В и, благодаря более конкурентоспособной продукции и более гибким услугам в цепочке поставок, помочь индустрии электромобилей перейти к эффективному и низкоуглеродному будущему.
О компании Xi'an Wanpu Import and Export Trading Co., Ltd.
Компания, основанная в 2010 году, специализируется на исследованиях, разработке и продаже автомобильной электроники и силовых полупроводниковых изделий, работая под брендами WANPU и AUTOWAY. Ее линейка продукции включает силовые устройства на основе SiC, системы управления питанием в автомобилях и интеллектуальные датчики движения, а продажи осуществляются более чем в 60 странах и регионах Европы, Юго-Восточной Азии и Северной Америки. Компания сертифицирована по стандарту ISO/TS 16949 и стремится предоставлять высоконадежные решения в области автомобильной электроники клиентам по всему миру.